NTDV18N06LT4G

1. bevestig het detail met het onderdeelnummer en de fabrikant van de producten bij het bestellen.
2.Als u een stuklijst (BOM) lijst nodig hebt om te citeren. U kunt sturen naar onze e-mail.
3.U kunt ons e-mailen om de bestelgegevens vóór verzending te wijzigen.
4. bestellingen kunnen niet worden geannuleerd na verzending van de pakketten.

Request Quote

bestek
beoordelingen
Betaling
Verzenden
Packaging

VGS (th) (Max) @ Id:	2V @ 250µA
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Leverancier Device Pakket:	DPAK-3
Serie:	-
Rds On (Max) @ Id, VGS:	65 mOhm @ 9A, 5V
Vermogensverlies (Max):	2.1W (Ta), 55W (Tj)
Packaging:	Tape & Reel (TR)
Verpakking / doos:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
montage Type:	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:	675pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	22nC @ 5V
FET Type:	N-Channel
FET Feature:	-
Drain naar de Bron Voltage (Vdss):	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:	18A (Ta)