Een citaat aanvragen
Nederland
EnglishDeutschFrançaisItalia한국의العربيةTürk diliSuomipolskiNederlandČeština繁体中文Български езикΕλλάδαTiếng ViệtSlovenskáSvenskaIndonesiaDanskMagyarországעִבְרִיתрусскийPortuguêsGaeilgeاردوБеларусьPilipinoHrvatskaromânescMelayuKongeriketSlovenijaภาษาไทยУкраїнаespañolMaoriहिंदीفارسی
Offerte aanvragen
Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single > FGB30N6S2DT

FGB30N6S2DT

FGB30N6S2DT
onderdeelnummer FGB30N6S2DT Is dit een veelgebruikt onderdeel? : Ja
Verzonden vanuit: HK of magazijn in Singapore
Hetzelfde model kan meerdere batches hebben, afbeeldingen alleen voor referentie.
ECAD-modellen: neem contact met ons op
E-mail: sales@zeanoit.com

Request Quote

Onderdeel nummer
Aantal stuks
Bedrijf
E-mail
Comments

Winkelproces

Spanning - Collector Emitter Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 12A
Test conditie:390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td (aan / uit) @ 25 ° C:6ns/40ns
Schakelen Energy:55µJ (on), 100µJ (off)
Leverancier Device Pakket:TO-263AB
Serie:-
Reverse Recovery Time (TRR):46ns
Vermogen - Max:167W
Packaging:Tape & Reel (TR)
Verpakking / doos:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatuur:-55°C ~ 150°C (TJ)
montage Type:Surface Mount
Input Type:Standard
IGBT Type:-
Gate Charge:23nC
Current - Collector Pulsed (ICM):108A
Current - Collector (Ic) (Max):45A


Als u verkeerde comptenten hebt, die u niet bestelt. We zullen onderzoeken wie de verantwoordelijkheid over de kwestie zal nemen.
Als het van ons is, leveren we de juiste comptenten voor uitwisselingsgoederen nadat we verkeerde samenstellen hebben ontvangen.
Als het van u is, neemt de klant er verantwoordelijk over. Voor details, neem dan contact op met onze klantenservice of verkoop.

Gerelateerde producten

Denk dat je er misschien naar op zoek bent