SI4972DY-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
Loodvrij / RoHS-conform
Discrete Semiconductor Products
SI4972DY-T1-GE3.pdf

We kunnen SI4972DY-T1-GE3 leveren, het aanvraagformulier gebruiken om SI4972DY-T1-GE3 pirce en lead time aan te vragen.Zeano is een professionele distributeur van elektronische componenten. Met meer dan 3 miljoen regelitems met beschikbare elektronische componenten kunnen in korte doorlooptijd worden verzonden, meer dan 250.000 onderdeelnummers van elektronische componenten in voorraad voor onmiddellijke levering, inclusief onderdeelnummer SI4972DY-T1-GE3. De prijs en doorlooptijd voor SI4972DY-T1-GE3 afhankelijk van de hoeveelheid vereist en magazijnlocatie. neem contact met ons op en onze vertegenwoordiger zal u prijs bieden. We kijken er naar uit om met u samen te werken.

Request Quote

bestek
beoordelingen
Betaling
Verzenden
Packaging

VGS (th) (Max) @ Id:	3V @ 250µA
Leverancier Device Pakket:	8-SO
Serie:	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:	14.5 mOhm @ 6A, 10V
Vermogen - Max:	3.1W, 2.5W
Packaging:	Tape & Reel (TR)
Verpakking / doos:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
montage Type:	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:	1080pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	28nC @ 10V
FET Type:	2 N-Channel (Dual)
FET Feature:	Standard
Drain naar de Bron Voltage (Vdss):	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:	10.8A, 7.2A