SI4910DY-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
Loodvrij / RoHS-conform
Discrete Semiconductor Products
SI4910DY-T1-GE3.pdf

1. bevestig het detail met het onderdeelnummer en de fabrikant van de producten bij het bestellen.
2.Als u een stuklijst (BOM) lijst nodig hebt om te citeren. U kunt sturen naar onze e-mail.
3.U kunt ons e-mailen om de bestelgegevens vóór verzending te wijzigen.
4. bestellingen kunnen niet worden geannuleerd na verzending van de pakketten.

Request Quote

bestek
beoordelingen
Betaling
Verzenden
Packaging

VGS (th) (Max) @ Id:	2V @ 250µA
Leverancier Device Pakket:	8-SO
Serie:	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:	27 mOhm @ 6A, 10V
Vermogen - Max:	3.1W
Packaging:	Tape & Reel (TR)
Verpakking / doos:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
montage Type:	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:	855pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	32nC @ 10V
FET Type:	2 N-Channel (Dual)
FET Feature:	Standard
Drain naar de Bron Voltage (Vdss):	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:	7.6A

Als u verkeerde comptenten hebt, die u niet bestelt. We zullen onderzoeken wie de verantwoordelijkheid over de kwestie zal nemen.

Als het van ons is, leveren we de juiste comptenten voor uitwisselingsgoederen nadat we verkeerde samenstellen hebben ontvangen.

Als het van u is, neemt de klant er verantwoordelijk over. Voor details, neem dan contact op met onze klantenservice of verkoop.

SI4910DY-T1-GE3

Request Quote

Winkelproces

Gerelateerde producten

Denk dat je er misschien naar op zoek bent