SI5915DC-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Loodvrij / RoHS-conform
Discrete Semiconductor Products
SI5915DC-T1-GE3.pdf

We kunnen Vishay / Siliconix SI5915DC-T1-GE3 leveren, het aanvraagformulier gebruiken om SI5915DC-T1-GE3 pirce, Vishay / Siliconix Datasheet PDF en lead time aan te vragen.Zeanoit.com is een professionele distributeur van elektronische componenten. Met meer dan 3 miljoen regelitems met beschikbare elektronische componenten kunnen in korte doorlooptijd worden verzonden, meer dan 250.000 onderdeelnummers van elektronische componenten in voorraad voor onmiddellijke levering, inclusief onderdeelnummer SI5915DC-T1-GE3. De prijs en doorlooptijd voor SI5915DC-T1-GE3 afhankelijk van de hoeveelheid vereiste, beschikbaarheid en magazijnlocatie.

Request Quote

bestek
beoordelingen
Betaling
Verzenden
Packaging

VGS (th) (Max) @ Id:	450mV @ 250µA (Min)
Leverancier Device Pakket:	1206-8 ChipFET™
Serie:	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:	70 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vermogen - Max:	1.1W
Packaging:	Tape & Reel (TR)
Verpakking / doos:	8-SMD, Flat Lead
Temperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
montage Type:	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	9nC @ 4.5V
FET Type:	2 P-Channel (Dual)
FET Feature:	Logic Level Gate
Drain naar de Bron Voltage (Vdss):	8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:	3.4A